1月19日消息，台积电近日公开承认，位于亚利桑那州的第二座美国工厂将会推迟至少1年，原定的3nm工艺也悬而未决，原因主要是美国答应好的补贴迟迟不到位。

台积电美国工厂名为Fab 21，一期工程投资120亿美元，将在2025年下半年投入量产，主要是生产5nm、4nm工艺芯片。

2022年底，台积电将美国工厂投资增至最多400亿美元，并宣布建设Fab 21二期工厂，计划2026年投产N3 3nm工艺。

两座工厂的年产能可达60万块晶圆，也就是每个月5万块。

但是受《芯片与科学法案》的影响，美国政府给予新工厂的补贴存在很大变数，加之客户需求疲软，台积电决定推迟新工厂的进度，目前预计要到2027年甚至2028年才能完成。

台积电还表示，新工厂正在建设中，但投产工艺尚未最终决定，仍在讨论中，具体取决于客户需求和时间周期。

看样子，台积电这是要和美国政府讨价还价。