2月1日消息，据江波龙官方公众号介绍，继自研SLC NAND Flash系列产品实现规模化量产后，首颗自研32Gb 2D MLC NAND Flash也于近日问世。

该产品采用BGA132封装，支持Toggle DDR模式，数据访问带宽可达400MB/s，将有望应用于eMMC、SSD等产品上，比如自家的雷克沙SSD。

据介绍，江波龙近年来在存储芯片的自主研发投入了大量的精力和资源，引进了一批具备超过20年存储芯片设计经验的高端人才。

不仅精通闪存芯片的设计技术，并且对于流片工艺制程、产品生产过程有着深入了解，对于4xnm、2xnm、1xnm等Flash工艺节点的产品实现拥有丰富的经验。

存储芯片设计的每个阶段都有其独特的挑战和重要性，从逻辑功能、模拟电路设计、仿真验证、物理设计等，都需要经过精心策划和严格实施，才能确保最终产品的实现。

目前，江波龙已具备SLC NAND Flash、MLC NAND Flash、NOR Flash产品的设计能力，并将通过完善的工程及品控能力逐步拓展更丰富的Flash产品系列。